--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 70N4LLF5-VB MOSFET 产品简介
70N4LLF5-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。它具有40V的漏源电压和高达70A的漏电流能力,适合高电流和中等功率应用场合。采用了Trench技术,具有低导通电阻和良好的热特性,适用于要求高效能量转换和电流控制的应用。
### 70N4LLF5-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:DFN8(5X6)
- **极性配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:20V (±)
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 4.7mΩ @ VGS=10V
- **漏电流 (ID)**:70A
- **技术类型**:Trench
### 70N4LLF5-VB MOSFET 应用领域与模块示例
1. **电源模块**:在电源模块中,如电源转换器和DC-DC转换器,70N4LLF5-VB可用作开关器件,用于高效能量转换和稳定的电压输出。
2. **电动工具**:适用于电动工具中的电机控制,帮助提升电动工具的功率输出和工作效率,如电动车辆的电机控制和电池管理系统。
3. **电子设备**:在需要高电流驱动和功率控制的电子设备中,如服务器电源单元和通信设备的电源管理,确保设备的稳定运行和高效能量利用。
综上所述,70N4LLF5-VB MOSFET适用于要求高功率处理和高电流驱动的多种应用领域,包括电源模块、电动工具和电子设备,为这些领域的电子产品提供了可靠和高效的功率管理解决方案。
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