### 1. 产品简介
75321S-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO263 封装。它具有60V的漏极-源极电压（VDS），适合中功率应用。该产品采用了 Trench 技术，具有低导通电阻和高性能。
### 2. 参数说明
- **封装类型：** TO263
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 60V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 50A
- **技术：** Trench
### 3. 应用示例
75321S-VB 在多种领域和模块中具有广泛的适用性，以下是一些示例：
- **电源模块：** 在需要高效率和低损耗的电源模块中，如电池管理系统、DC-DC 变换器，75321S-VB 的低导通电阻（特别是在高电压下的32mΩ @ 10V）和高漏极电流能力能够提供稳定和高效的电能转换。
- **电动工具驱动：** 在电动工具和家用电器的电机驱动系统中，需要能够快速开关和低损耗的功率 MOSFET 用于驱动电机和控制电路，75321S-VB 的快速开关特性和低导通电阻使其适合高频率操作和长时间工作。
- **汽车电子：** 在汽车电子系统中，需要处理中功率和高频率操作的场合，例如电动车辆的电机驱动、车载充电器和电池管理系统，75321S-VB 的高性能和可靠性使其成为汽车电子中的关键组件。
这些示例展示了 75321S-VB 在处理中功率和高频率下的优越性能和广泛适用性，通过其先进的 Trench 技术和优秀的电气特性，支持了多个领域的功率管理和电能转换应用需求。
