### 产品简介：
MOSFET型号：75NF20-VB
封装：TO263
配置：单N沟道
耐压（VDS）：200V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：3V
导通电阻（RDS(ON)）：38mΩ @ VGS=10V
漏极电流（ID）：45A
技术：Trench
### 参数说明：
- **封装类型（Package）：** TO263，适合中高功率应用，具有良好的散热性能和机械强度。
- **配置（Configuration）：** 单N沟道，适用于高效的功率开关和控制电路设计。
- **耐压（VDS）：** 200V，能够处理较高电压范围的电路需求。
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V，支持广泛的栅极驱动电压范围。
- **阈值电压（Vth）：** 3V，设定了启动MOSFET导通的门电压。
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 38mΩ @ VGS=10V，在标准驱动电压下的导通电阻，有助于降低功耗和热损失。
- **漏极电流（ID）：** 45A，适合需要处理中等电流负载的应用场合。
- **技术特性（Technology）：** Trench，采用沟道（Trench）结构，提升了器件的开关速度和可靠性。
### 应用示例：
1. **电源转换器：** 75NF20-VB可用于DC-DC变换器和AC-DC电源转换器中，特别是需要处理较高电压和电流的转换应用。
2. **电动车辆充电桩：** 在电动车辆充电桩中，这款MOSFET可以用于功率开关和电流控制电路，支持快速充电和高效能输出。
3. **工业自动化设备：** 在工业机器人、自动化生产线和变频调速器中，75NF20-VB能够提供稳定的功率输出和可靠的电路控制，确保设备运行的稳定性和效率。
75NF20-VB结合了高耐压能力和低导通电阻的优势，适合各种需要高功率密度和可靠性的功率电子应用场合。
