### 1. 产品简介
75T10P-VB 是一款高性能单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220 封装。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），适合需要处理高电压和高电流的功率应用。采用先进的 Trench 技术，该器件具有低导通电阻和高效率的特点。
### 2. 参数说明
- **封装类型：** TO220
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 100V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 100A
- **技术：** Trench
### 3. 应用示例
75T10P-VB 适用于以下领域和模块：
- **电动车辆驱动器：** 在电动车辆的驱动系统中，需要能够处理高电压和高电流的功率 MOSFET。75T10P-VB 的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用作电动车辆的电机驱动器件，能够提供高效的功率转换和精确的电机控制。
- **工业电源和逆变器：** 在工业电源和逆变器中，需要具有高稳定性和高效率的功率开关器件。75T10P-VB 可以在高频率开关电路中实现低损耗和高效能转换，适合工业自动化、通信基础设施和太阳能逆变器等应用。
- **电源管理模块：** 在各种电源管理模块中，需要能够快速响应和低压降的功率 MOSFET。75T10P-VB 的优秀的导通电阻特性和高电流承载能力，使其成为电源管理和电能转换模块中的理想选择，支持稳定的电源输出和高效的能量转换。
这些应用示例展示了 75T10P-VB 在高电压、高电流和高效率能量转换方面的优越性能和广泛适用性，通过其先进的 Trench 技术和优秀的电气特性，满足了多个领域中对功率管理和电能转换的严格要求。
