### 75T10S-VB MOSFET 产品简介
75T10S-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装。它具有100V的漏源电压和100A的漏电流能力，适合于需要高功率和高效率的电子应用。采用了Trench技术，具有优异的导通特性和低开关损耗，适合于要求严格的功率管理和控制场合。
### 75T10S-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**：TO263
- **极性配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：20V (±)
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 23mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏电流 (ID)**：100A
- **技术类型**：Trench
### 75T10S-VB MOSFET 应用领域与模块示例
1. **电源转换器和逆变器**：在电力电子设备中，用于DC-DC转换器和AC-DC变换器，提供高效的电力转换和管理能力。
2. **电动工具和家电**：应用于高功率电动工具、家电设备中的电机驱动电路，以提升设备的功率密度和使用寿命。
3. **电动汽车充电桩**：在电动汽车和充电设备中，用作电池管理系统和充电控制器的功率开关元件，支持快速充电和能量转换效率。
4. **工业自动化**：用于工业机器人、自动化生产线和高功率驱动系统中，提供精确的电机控制和动态响应能力，优化生产效率和制造质量。
75T10S-VB MOSFET适用于需要高电压和高电流操作的电子设备和系统，特别是在要求高效能、稳定性和可靠性的应用场合。
