--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、80N02-VB 产品简介
80N02-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它设计用于低压高电流的应用环境,具有低导通电阻和高电流承载能力,适合于功率开关和电源管理应用。
### 二、80N02-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: TO252
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 20V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术 (Technology)**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
80N02-VB MOSFET 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源供应**:适用于低压直流电源系统中的功率开关,如电子设备和电源适配器,能够提供高效的电力转换和稳定的电压输出。
2. **电动工具**:作为电动工具中的功率开关元件,如电动钻、电锤等,能够提供可靠的功率控制和高效的驱动能力。
3. **电动车辆**:用于电动车辆的电池管理系统和电机控制模块,能够处理高电流和高功率需求,确保车辆的高效运行和安全性能。
4. **消费电子**:适用于消费电子产品中的电源管理和电路控制,如智能手机、平板电脑等,能够提供稳定的电力供应和节能效果。
5. **LED 照明**:在 LED 照明系统中作为驱动电路的一部分,能够提供高效的功率开关和调节,确保 LED 灯具的稳定亮度和长寿命。
综上所述,80N02-VB 是一款高性能、适用广泛的低压单 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高电流和低导通电阻处理能力的功率开关和电源管理应用场合。
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