--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AOI5N40-VB** 是一款高压单通道N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO251。它设计用于高电压应用场合,提供稳定的功率开关和电源管理解决方案。
### 二、详细的参数说明
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 950mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
### 三、适用领域和模块的应用例子
**AOI5N40-VB** 可以在以下领域和模块中广泛应用:
1. **电动车辆充电器**:
- 在电动汽车充电器的高压开关电源部分,AOI5N40-VB可以用作功率开关元件,用于高电压直流输入的稳定控制。其高电压承受能力和稳定的导通特性能够确保充电器的高效运行和长寿命。
2. **工业高压电源**:
- 在工业控制和高压电源系统中,该器件可以应用于高压开关电源和电动机控制器。其能够处理高电压和电流的特性使其成为工业自动化应用中的重要组成部分。
3. **太阳能逆变器**:
- 在太阳能发电系统的逆变器中,AOI5N40-VB可以用作关键的功率开关元件,用于将直流电转换为交流电。其高电压承受能力和低导通电阻有助于提高逆变器的能效和稳定性。
4. **电源管理**:
- 在需要稳定电源管理和功率控制的应用中,如工业电源和电力分配系统,该器件可以提供可靠的电能转换和电源管理功能,确保设备的长期可靠性和稳定性。
5. **医疗设备**:
- 在需要高压和稳定电源管理的医疗设备中,AOI5N40-VB可以用于医疗成像设备和电源管理单元。其高电压承受能力和安全的操作特性使其能够满足医疗设备的严格要求。
综上所述,AOI5N40-VB适用于多种高压、高功率应用场景,其稳定性和高效能特性使其成为工业和电力电子领域中的重要组成部分。
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