--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AOT1N60-VB** 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。它具备高达650V的击穿电压(VDS)和2A的最大连续漏极电流(ID),适合用于低功率高压开关和保护应用。采用了Plannar技术,该器件在简单的高压电路中提供经济有效的解决方案。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar
### 三、适用领域和模块
**AOT1N60-VB** 由于其低功率和经济有效的特性,适用于以下领域和模块:
1. **电源开关**: 在低功率的高压电源开关中,如LED驱动器、小功率DC-DC转换器和电源逆变器中,提供可靠的开关和控制功能。
2. **照明**: 用于高压LED照明系统中的电源开关,能够有效驱动LED灯串并提供稳定的电流控制。
3. **家用电器**: 在家用电器如空调、冰箱和微波炉的电源开关和保护电路中,提供安全和稳定的电力管理。
4. **电动工具**: 对于小型电动工具如电动剪刀、电动剃须刀等,作为电机驱动和电源开关器件,提供可靠的电流开关能力。
5. **工业控制**: 在工业自动化系统中的低功率电源开关和电气控制器中,提供稳定和可靠的电力管理和开关功能。
6. **电动车充电器**: 在小功率电动车充电器中,作为保护和控制开关,确保充电效率和安全性。
通过这些应用示例,可以看出AOT1N60-VB适用于需要处理低功率高压的各种电子设备和系统,为其提供简单而有效的电力开关和保护解决方案。
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