### 产品简介
AOT8N50-VB是一款单N沟道功率MOSFET，设计用于高压应用环境。采用Plannar技术和TO220封装，能够在500V的漏极-源极电压下提供可靠的性能和稳定的操作。
### 详细参数说明
- **型号**：AOT8N50-VB
- **封装形式**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：500V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：660mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**：13A
- **技术类型**：Plannar
### 应用领域和模块
AOT8N50-VB适用于需要处理高压和中等电流的应用场景，具体包括但不限于以下领域：
- **电源逆变器**：在中等功率逆变器和开关电源中，AOT8N50-VB可以用作开关管或电源开关，支持直流电源到交流电源的转换，例如家用电子设备的电源管理。
- **工业电气**：在电气控制系统和高压设备中，这款MOSFET可以用于电源开关和电流调节，支持高压设备的稳定运行和保护。
- **电动工具**：在高压电动工具和园艺设备中，AOT8N50-VB可作为电源开关和控制器，提供可靠的电流输出和控制，确保设备的高性能和可靠性。
- **电动车充电桩**：在电动车充电设备中，AOT8N50-VB可用于开关控制和电流保护，确保充电桩的高效充电和安全操作。
总体来说，AOT8N50-VB适用于对高压和中等电流要求较高的各种工业和电子应用场景，特别是在要求稳定性和可靠性的高压电源管理中具有广泛的应用前景。