--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AOT9N40-VB 产品简介
**型号:** AOT9N40-VB
**封装:** TO220
**配置:** 单N沟道MOSFET
**技术:** 平面技术(Plannar)
AOT9N40-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用平面技术设计,适用于中高压应用场合。其TO220封装设计优化了散热性能,使其适合于各种高功率电子应用。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压(VDS):** 500V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.1V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 660mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 13A
- **技术:** 平面技术(Plannar)
### 应用领域和模块举例
1. **工业电源系统:** AOT9N40-VB适用于工业电源系统中的开关电源单元(SMPS),能够处理中等电压和电流要求,提供高效的能量转换和稳定的电力输出。
2. **电动车辆充电器:** 在电动车辆充电器中,AOT9N40-VB可用作开关管件,帮助控制和转换高电压DC电源,确保充电器的高效率和安全性。
3. **太阳能逆变器:** 该MOSFET适合用于太阳能逆变器中,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电,其高电压和电流处理能力保证了逆变器的效率和可靠性。
4. **电源管理模块:** 在电源管理模块中,AOT9N40-VB能够提供稳定的电源开关和调节功能,适用于需要可靠性和高效性能的各种电子设备。
5. **工业自动化设备:** 该MOSFET可用于各种工业自动化设备中的电源控制和驱动应用,包括机器人控制、变频器和自动化生产线等领域,确保设备运行的稳定性和效率。
AOT9N40-VB MOSFET以其高压承受能力和稳定的性能,在多个领域和应用中都能提供可靠的功率开关解决方案,为电子系统的设计和优化提供了重要支持。
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