--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AOTF10N65L-VB 产品简介
AOTF10N65L-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,设计用于处理高电压和中等电流的应用场合。具备良好的电气特性和可靠性,适用于要求高电压开关和功率控制的工业和电力电子系统。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
1. **电源开关**:
- **应用场景**: 用作工业电力系统和电源开关中的关键元件,能够可靠地处理高电压和中等电流,保证系统的稳定运行。
- **示例**: 工业电源开关、电动工具和大功率电源管理系统中的电源开关。
2. **电动车充电设备**:
- **应用场景**: 在电动车充电设备中作为主要控制开关,处理高电压和电流,确保充电效率和安全性。
- **示例**: 电动汽车充电桩、电动车充电器和快速充电设备。
3. **电力逆变器**:
- **应用场景**: 用于太阳能和风能发电系统中的逆变器模块,支持直流到交流的能量转换,提高可再生能源的利用效率。
- **示例**: 太阳能逆变器、风能发电系统的逆变器和电网连接逆变器。
4. **电力供应系统**:
- **应用场景**: 在需要高电压和中等电流处理能力的电力供应系统中,用于功率开关和能量管理。
- **示例**: 工业电力分配系统、电力调节器和电力驱动器。
AOTF10N65L-VB适用于多种高压应用场景,特别是工业电力系统、电动车充电设备、电力逆变器和电力供应系统等领域,为各种电力电子应用提供高效能和可靠性的解决方案。
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