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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AP13P15GJ-HF-VB一款Single-P沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AP13P15GJ-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO251
  • 沟道 Single-P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

AP13P15GJ-HF-VB 是一款单 P-沟道功率场效应管(Power MOSFET),采用Trench工艺制造。该器件适用于负载开关和功率管理应用,具有高达-200V的漏极-源极电压(VDS)额定值和最大-5A的漏极电流(ID)容量。

### 2. 参数说明

- **型号**: AP13P15GJ-HF-VB
- **封装**: TO251
- **通道类型**: 单 P-沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: -200V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: -2.5V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
 - 1200mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: -5A
- **技术**: Trench

### 3. 应用示例

AP13P15GJ-HF-VB 可适用于以下领域和模块:

- **电源管理**: 由于其较高的漏极-源极电压和漏极电流能力,适合用作电源开关,特别是在负载开关和电源管理系统中。
 
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中,可以用于电池管理、电动车辆充电系统以及其他需要处理高电压和电流的应用。

- **工业控制**: 用于工业控制设备中的电源开关和逆变器,以提供高效的功率管理和控制。

- **消费类电子**: 例如电源适配器、笔记本电脑和其他消费类电子设备中的开关电源电路。

这些示例展示了 AP13P15GJ-HF-VB 在多个领域中的灵活应用性,其高电压和电流能力使其成为处理大功率需求的理想选择。

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