--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AOTF11N62-VB**是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,适用于高压应用场合。该器件采用Plannar平面结构技术制造,具有较高的漏源电压和适中的电流处理能力,适合需要可靠性和稳定性的高压电源管理和开关应用。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 680mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:12A
- **技术类型**:Plannar
### 三、应用领域和模块举例
**AOTF11N62-VB** MOSFET适用于以下各种领域和模块:
1. **电源转换器**:在高压电源转换器和开关电源中,如电源逆变器和电力电子变换器,能够提供稳定的电流控制和高效的电能转换,适用于工业电源和电力设备中的电源管理。
2. **太阳能逆变器**:在太阳能电池系统的逆变器中,用于转换太阳能电池板产生的直流电为交流电,提供高效的能源转换和电流管理功能。
3. **电动汽车充电桩**:用于电动汽车充电桩中的电源开关和功率调节器,能够处理高压和中等电流需求,确保电动车辆安全快速充电。
4. **工业电气**:在工业控制系统和电机驱动器中,如变频器、电力分配设备和电动机控制器,能够提供稳定的电流输出和高效的电力转换功能,确保设备的高效运行。
5. **高压开关电源**:在需要高压稳定输出的开关电源和DC-DC转换器中,由于其高漏源电压和适中的电流处理能力,能够提供可靠的电源管理和控制,适用于工业和通信设备中的电源管理单元。
**AOTF11N62-VB**凭借其高压、适中的电流处理能力和稳定的性能,是广泛应用于电源转换、太阳能逆变器、电动汽车充电桩、工业电气和高压开关电源等领域的理想选择,能够满足各种功率需求并提供可靠的电流控制和高效的能源转换。
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