--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AOTF15S60-VB 是一款单N沟道场效应管,采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装形式为TO220F。具备高耐压、低导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和驱动应用。
### 2. 详细参数说明
- **包装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 20A
### 3. 应用示例
AOTF15S60-VB MOSFET 在以下领域和模块中有广泛应用:
- **电动车辆**: 用于电动车辆的电源管理和驱动系统,支持高效率和高功率输出。
- **工业电源**: 在工业电源设备中,如高压开关电源单元和电力控制模块,提供可靠的电源开关和电流控制。
- **太阳能逆变器**: 在太阳能电池系统的逆变器中,AOTF15S60-VB 能够提供高效的电能转换和稳定的电流输出。
- **电动工具**: 适用于高性能电动工具的电源开关和电流控制,支持快速响应和长时间使用。
这些示例展示了 AOTF15S60-VB 的高耐压、低导通电阻和高电流能力,使其成为多种应用场合的理想选择,特别是需要处理高功率和高效能要求的电子和电力系统。
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