--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AOTF4N60-VB**是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,适用于高压应用。该器件采用Plannar平面结构技术制造,能够处理高压下的电流控制和功率管理,适合要求高电压和稳定性能的应用场合。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:4A
- **技术类型**:Plannar
### 三、应用领域和模块举例
**AOTF4N60-VB** MOSFET适用于以下各种领域和模块:
1. **电源转换器**:在高压电源转换器和开关电源中,如电源逆变器和电力电子变换器,AOTF4N60-VB能够提供稳定的电流控制和高效的电能转换,适用于工业电源和电力设备中的电源管理。
2. **电动汽车充电桩**:由于其高压和稳定性能,AOTF4N60-VB适合用于电动汽车充电桩中的电源开关和功率调节器,能够处理高压和高电流要求,确保电动车辆安全快速充电。
3. **工业高压电机驱动**:在需要高压稳定输出的工业电机驱动系统中,如高压变频器和电动机控制器,AOTF4N60-VB能够提供可靠的电流输出和高效的电力转换功能,确保设备的高效运行和长寿命。
4. **电源管理模块**:在需要处理高压稳定输出的电源管理单元中,AOTF4N60-VB能够提供稳定的功率控制和高效的能源转换,适用于工业自动化、通信基站和数据中心的电源管理系统。
5. **医疗设备**:用于需要高电压和稳定输出的医疗设备中,如医用图像设备和高频电疗设备,AOTF4N60-VB能够提供可靠的电源控制和高效的能源转换,确保设备的稳定运行和精确控制。
**AOTF4N60-VB**凭借其高压、稳定性和适应高电流要求的能力,是广泛应用于电源转换、电动汽车充电桩、工业高压电机驱动和医疗设备等领域的理想选择,能够满足各种高压功率需求并提供可靠的电流控制和高效的能源转换。
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