--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AOTF4N90-VB 产品简介
**型号:** AOTF4N90-VB
**封装:** TO220F
**配置:** 单N沟道MOSFET
**技术:** 平面技术(Plannar)
AOTF4N90-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用平面技术设计,具有高电压承受能力和可靠性。其TO220F封装设计适合于需要处理高电压的应用,并提供良好的散热性能。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压(VDS):** 950V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 6A
- **技术:** 平面技术(Plannar)
### 应用领域和模块举例
1. **电源逆变器:** AOTF4N90-VB适用于电源逆变器中的高压开关电源单元,例如工业用逆变器和太阳能逆变器,能够处理高电压直流至交流电的转换,提升能源利用效率。
2. **电动车充电器:** 在电动车充电器中,AOTF4N90-VB作为高压开关器件,用于控制和管理充电器的电源转换,确保充电效率和安全性。
3. **医疗设备电源:** 在医疗设备中,特别是需要处理高压和高效能量转换的电源管理模块中,AOTF4N90-VB能够提供稳定的电力输出和可靠的电源控制。
4. **工业高压电源系统:** 该MOSFET适用于工业高压电源系统的开关电源单元,如用于工业自动化设备和大型电力设备中的电源管理和控制。
5. **UPS系统:** 在不间断电源系统中,AOTF4N90-VB可用于高压开关电源单元,确保UPS在电网故障时能够提供持续稳定的电力输出。
AOTF4N90-VB MOSFET通过其高电压承受能力和优异的性能,在多个领域的高压功率开关和电源管理应用中发挥着重要作用,为电子系统的设计和性能优化提供了可靠解决方案。
为你推荐
-
AP13P15GS-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 16:10
产品型号:AP13P15GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-P -
AP13P15GS-HF-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 16:07
产品型号:AP13P15GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-P -
AP13P15GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 16:05
产品型号:AP13P15GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
AP13P15GP-HF-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 16:03
产品型号:AP13P15GP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
AP13P15GJ-HF-VB一款Single-P沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 16:01
产品型号:AP13P15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-P -
AP13P15GH-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 16:00
产品型号:AP13P15GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
AP13P15GH-HF-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 15:57
产品型号:AP13P15GH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
AP13N50W-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 15:55
产品型号:AP13N50W-VB 封装:TO3P 沟道:Single-N -
AP13N50W-HF-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 15:54
产品型号:AP13N50W-HF-VB 封装:TO3P 沟道:Single-N -
AP13N50I-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 15:51
产品型号:AP13N50I-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N