--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AOTF7S65-VB 产品简介
**型号:** AOTF7S65-VB
**封装:** TO220F
**配置:** 单N沟道MOSFET
**技术:** 平面技术(Plannar)
AOTF7S65-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用平面技术设计,具有高电压承受能力和低导通电阻特性。其TO220F封装适合于需要高效能量转换和稳定性能的应用。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压(VDS):** 650V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 680mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 12A
- **技术:** 平面技术(Plannar)
### 应用领域和模块举例
1. **电源逆变器:** AOTF7S65-VB适用于各种电源逆变器中的高压开关单元,能够处理太阳能逆变器、工业逆变器和电动车辆充电器等应用,提供高效的能量转换和电力管理。
2. **电动车辆充电器:** 在电动车辆充电器中,AOTF7S65-VB作为高压开关器件,能够确保充电器的高效率和稳定性,有效控制充电过程中的电能转换。
3. **工业自动化设备:** 该MOSFET适用于工业自动化设备中的电源管理和驱动模块,如变频器、PLC控制器和机器人系统等,支持设备的高效运行和稳定的电力输出。
4. **电源转换模块:** 在各类电源转换模块中,AOTF7S65-VB能够提供稳定的电力输出和高效的功率开关解决方案,例如用于数据中心、通信设备和服务器的电源管理。
5. **UPS系统:** 在不间断电源系统中,AOTF7S65-VB可用于关键的电源转换和稳定控制,确保UPS在电网故障时能够持续提供可靠的电力支持。
AOTF7S65-VB MOSFET通过其优异的电性能和可靠性,适用于多种高压功率开关和电源管理应用,为各类电子设备的设计和性能优化提供了重要支持。
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