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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AOTF8N50-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AOTF8N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220F
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

AOTF8N50-VB 是一款单路 N 沟道场效应管(N-Channel MOSFET),采用了平面(Plannar)技术。它设计用于需要高电压承受能力和适中导通电阻的应用场合,采用 TO220F 封装,具备以下主要特点:

- **高电压承受能力:** 漏极-源极电压(VDS)最大可达650V,适合高压应用环境。
- **适中的导通电阻:** 在典型工作条件下,导通电阻(RDS(ON))为830mΩ @ VGS=10V,有助于降低导通功耗。
- **门极阈值电压(Vth):** 3.5V,适合一般的电压控制需求。
- **高电流承受能力:** 最大漏极电流(ID)为10A,能够处理较高的电流负载。

### 2. 参数说明

- **封装类型:** TO220F
- **器件类型:** 单路 N 沟道场效应管
- **最大漏极-源极电压(VDS):** 650V
- **栅极-源极电压(VGS)范围:** ±30V
- **门极阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID):** 10A
- **技术特点:** 平面(Plannar)技术

### 3. 应用示例

AOTF8N50-VB 在多个领域和模块中都具有广泛的应用,以下是一些典型的应用示例:

- **电动车辆和充电系统:** 在电动车辆和电动车辆充电系统中,AOTF8N50-VB 可以用作电源开关器件,管理电动车辆充电过程中的电流和电压,确保高效率和安全性。

- **太阳能逆变器和风能发电系统:** 在太阳能逆变器和风能发电系统中,AOTF8N50-VB 可以用作关键的开关元件,管理发电系统的电流输出,提供稳定的能量转换效率。

- **工业自动化设备和电源逆变器:** 在工业自动化设备和需要高压电源逆变的系统中,如电力逆变器和工业机器人控制系统,AOTF8N50-VB 可以用作关键的开关器件,以实现稳定的能量转换和高效率。

- **消费电子产品:** 在需要高电压操作的消费电子产品中,如家用电器和便携式电子设备,AOTF8N50-VB 可以用作电源开关器件,提供稳定的电源管理和高效的电能转换。

这些示例展示了 AOTF8N50-VB 在高电压环境下提供稳定性能和高效能量管理方面的应用优势,适用于多种需要处理高电压和高功率的工业和消费电子应用场合。

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