### 1. 产品简介
AOU2N60A-VB 是一款单N沟道场效应管，采用Plannar技术制造，封装形式为TO251。具备高耐压和稳定性能，适用于低功率应用和电源管理领域。
### 2. 详细参数说明
- **包装**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4300mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
### 3. 应用示例
AOU2N60A-VB MOSFET 可以应用于以下领域和模块：
- **低功率电源**: 在低功率电源管理中，如消费类电子产品、家用电器等，提供电源开关和电流控制功能。
- **照明控制**: 在LED照明系统中，用于电源控制和电流管理，支持稳定的电流输出和节能效果。
- **电动工具**: 适用于低功率电动工具的电源开关和电流控制，支持长时间使用和可靠性能。
- **电子设备**: 在各种类型的电子设备中，如电子锁、传感器等的电源管理和电流控制。
这些示例突显了 AOU2N60A-VB 在低功率和低电流应用中的优越性能，使其成为各种电子和电力系统中的理想选择，特别是需要稳定性和经济性的应用场合。
