### 1. 产品简介
AOU2N60-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用了Plannar技术。设计用于低电流和中等电压的应用场合，具有650V的高漏源电压和稳定的电性能。该器件封装为TO251，适合需要紧凑尺寸和高效能的电子设计需求。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: AOU2N60-VB
- **封装**: TO251
- **结构**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 650V
- **栅源电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON))**:
- 4300mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: 2A
- **技术**: Plannar
### 3. 应用领域和模块示例
AOU2N60-VB适用于以下几个领域和模块：
- **电源适配器**: 在低功率和中等电压的电源适配器中，如笔记本电脑适配器和家用电器的电源管理，AOU2N60-VB可以作为开关电源的关键元件，支持节能和稳定的电能转换。
- **LED驱动**: 在需要中等电流和高电压驱动的LED照明系统中，如室内照明和舞台灯光，AOU2N60-VB能够提供可靠的电流控制，确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
- **医疗设备**: 在医疗设备中的电源管理和电动机控制中，AOU2N60-VB能够提供稳定可靠的电力输出和高效的能量转换，确保设备的安全运行和精确控制。
- **工业控制**: 用于工业控制系统中的各种电源管理和电机控制，AOU2N60-VB能够提供高效的功率转换和稳定的操作，确保设备的长期可靠性和性能稳定性。
综上所述，AOU2N60-VB因其Plannar技术和适中的电流电压特性，在多种需要稳定功率管理和高效能转换的应用场合中表现出色，能够提升系统的能效和可靠性。### 1. 产品简介
AOU2N60-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用了Plannar技术。设计用于低电流和中等电压的应用场合，具有650V的高漏源电压和稳定的电性能。该器件封装为TO251，适合需要紧凑尺寸和高效能的电子设计需求。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: AOU2N60-VB
- **封装**: TO251
- **结构**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 650V
- **栅源电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON))**:
- 4300mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: 2A
- **技术**: Plannar
### 3. 应用领域和模块示例
AOU2N60-VB适用于以下几个领域和模块：
- **电源适配器**: 在低功率和中等电压的电源适配器中，如笔记本电脑适配器和家用电器的电源管理，AOU2N60-VB可以作为开关电源的关键元件，支持节能和稳定的电能转换。
- **LED驱动**: 在需要中等电流和高电压驱动的LED照明系统中，如室内照明和舞台灯光，AOU2N60-VB能够提供可靠的电流控制，确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
- **医疗设备**: 在医疗设备中的电源管理和电动机控制中，AOU2N60-VB能够提供稳定可靠的电力输出和高效的能量转换，确保设备的安全运行和精确控制。
- **工业控制**: 用于工业控制系统中的各种电源管理和电机控制，AOU2N60-VB能够提供高效的功率转换和稳定的操作，确保设备的长期可靠性和性能稳定性。
综上所述，AOU2N60-VB因其Plannar技术和适中的电流电压特性，在多种需要稳定功率管理和高效能转换的应用场合中表现出色，能够提升系统的能效和可靠性。
