--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP02N40H-HF-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件设计用于高电压和中等电流的应用场合,具有低导通电阻和高漏极电流能力。封装为TO252,适合需要高性能功率开关的电子设计需求。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: AP02N40H-HF-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 650V
- **栅源电压(VGS)**: ±30V
- **阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 3. 应用领域和模块示例
AP02N40H-HF-VB适用于以下几个领域和模块:
- **电源转换器**: 在需要高效率和高可靠性的电源转换器中,如工业电源和服务器电源,AP02N40H-HF-VB能够提供稳定的功率开关功能,支持高电压转换和大电流输出,确保系统的稳定性和效率。
- **电动汽车充电桩**: 在电动汽车充电桩的功率模块中,AP02N40H-HF-VB可以作为关键的功率开关元件,实现高压直流到交流的转换,确保充电桩的高效率充电和可靠性。
- **工业控制系统**: 在工业自动化和机器人控制系统中,AP02N40H-HF-VB用作电机驱动和电源管理模块,能够提供快速响应和高效能的电力转换,支持复杂的工业应用需求。
- **太阳能逆变器**: 在太阳能发电系统的逆变器中,AP02N40H-HF-VB能够作为关键的功率开关元件,将太阳能板产生的直流电能高效转换为交流电能,支持并网或独立电力系统运行。
- **UPS系统**: 在不间断电源(UPS)系统中,AP02N40H-HF-VB可以作为关键的开关元件,提供高电压和大电流的输出支持,确保在电网断电时提供稳定的备用电力。
综上所述,AP02N40H-HF-VB因其SJ_Multi-EPI技术和高性能特性,在多种需要高电压和中等电流的功率应用中具有广泛的应用前景,能够显著提升系统的能效和稳定性。
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