### AP3987I-VB 产品简介
AP3987I-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用平面技术制造，封装在TO220F包装中。它具有高击穿电压和稳定的导通特性，适用于各种需要高电压和中等电流处理的工业和电源管理应用。
### AP3987I-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**：650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：7A
- **技术**：平面（Plannar）
### AP3987I-VB 应用领域及模块
AP3987I-VB 在多种高压应用中具有广泛的适用性，主要用于以下领域：
1. **电动汽车充电桩**：
- 这款MOSFET适合用于电动汽车充电桩中的高压直流充电模块。它能够有效地处理高电压和中等电流，确保充电效率和安全性。其高击穿电压有助于系统的稳定运行。
2. **工业电源**：
- 在工业电源系统中，AP3987I-VB 可以作为主要的开关元件，用于控制和调节高压直流电源的输出。其高耐压能力和稳定的导通特性使其能够在各种工业设备和机器中稳定运行。
3. **电力传输**：
- 用于电力传输和分配系统中的开关和保护装置。这款MOSFET能够有效地隔离和控制电路，保证电网的安全性和可靠性。
4. **电源逆变器**：
- 在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中，AP3987I-VB 可以作为关键的功率开关器件。其高击穿电压和导通特性确保系统能够高效地转换和管理能源。
通过其优越的电气特性和稳定性，AP3987I-VB 成为各种高压和中等电流应用中的理想选择，为工程师提供了高性能和可靠性的解决方案。
