--- 产品参数 ---
- 封装 DIP8
- 沟道 Dual-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP4501GSD-VB 产品简介
AP4501GSD-VB 是一款高效能的双N+P沟道MOSFET,采用DIP8封装,适用于多种电源管理和开关应用。该型号具有优越的导通特性和高可靠性,能够在广泛的电压和电流范围内工作,是现代电子设备的理想选择。
### AP4501GSD-VB 详细参数说明
- **封装类型**:DIP8
- **配置**:双N+P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:±30V
- **栅极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:±1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 30mΩ @ VGS=4.5V
- 25mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:7.2A / -5A
- **技术**:Trench
### AP4501GSD-VB 应用示例
AP4501GSD-VB 的应用场景广泛,以下是一些典型的应用领域和模块:
1. **电源管理**:在高效的DC-DC转换器、电源开关和稳压器中应用,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块,确保设备的长续航和高效能。
2. **消费电子**:在家用电器、电视机、音响设备等消费电子产品中作为功率管理和开关控制元件,提供稳定的电源供应和高效的电能转换。
3. **汽车电子**:用于汽车电子系统中的电源管理和驱动电路,如车载充电器、汽车音响系统和电动车电池管理系统,提升车辆电子系统的可靠性和性能。
4. **工业控制**:应用于工业自动化设备的电源控制和驱动电路,如PLC控制器、工业机器人和变频器,确保设备的高效运行和长时间稳定工作。
5. **通信设备**:在无线通信设备、路由器和基站的电源管理模块中使用,支持高速数据传输和稳定的通信连接。
6. **便携式设备**:适用于便携式医疗设备、手持工具和无线传感器等需要低功耗和高效能的应用场景,提供长时间电池续航和可靠的功率输出。
综上所述,AP4501GSD-VB 是一款性能卓越的双N+P沟道MOSFET,适合用于各类电子设备的电源管理和开关控制应用,确保设备的高效能和高可靠性。
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