--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Common Drain-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP4506GEH-VB 产品简介
AP4506GEH-VB 是一款双通道共源 N+P-Channel MOSFET,采用 TO252-4L 封装,适合于高压应用环境。该器件结合了 N-Channel 和 P-Channel MOSFET 的优点,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于要求高效能和可靠性的电路设计。
### 详细参数说明
- **型号:** AP4506GEH-VB
- **封装:** TO252-4L
- **配置:** 双通道共源 N+P-Channel
- **漏极-源极电压(VDS):** ±60V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.8V(N-Channel) / -1.7V(P-Channel)
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- @VGS = 4.5V:
- N-Channel:33mΩ
- P-Channel:60mΩ
- @VGS = 10V:
- N-Channel:30mΩ
- P-Channel:50mΩ
- **漏极电流(ID):**
- N-Channel:35A
- P-Channel:-19A
- **技术:** Trench
### 应用示例
AP4506GEH-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源管理和转换器:** 适用于高压开关电源、DC-DC 变换器和稳压器,能够提供高效的功率转换和电流控制,确保电路稳定运行和能效优化。
2. **电池保护和充电管理:** 在工业设备、电池管理系统和便携式设备中,可用于电池保护、充电管理和电源开关控制,支持快速充电和延长设备使用时间。
3. **电动车辆和电动工具:** 在电动车辆的电池管理、驱动系统和电源开关中,提供高效能力和可靠性,支持电动汽车和电动工具的性能优化和长时间使用。
4. **工业控制和自动化:** 适用于工业自动化控制系统、机器人控制和电机驱动,能够提供稳定的电力管理和高效的驱动控制。
5. **LED 照明和显示系统:** 在高亮度 LED 照明、背光系统和显示屏驱动中,提供低功耗和高效能力,支持长期稳定的亮度输出和能效优化。
通过其双通道共源设计和优异的电气特性,AP4506GEH-VB 可以为各种要求高电压和高电流处理的应用提供可靠的解决方案,提升系统的性能和稳定性。
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