--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP630P-VB是一款TO220封装的单N沟道场效应管(Single-N-Channel MOSFET)。采用Trench工艺制造,适用于需要处理较高电压和中等电流的应用场合。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型**: TO220
- **结构类型**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **耐压(VDS)**: 200V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 310mΩ @ VGS=4.5V
- 270mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 10A
- **技术特点**: Trench工艺
### 3. 应用示例
AP630P-VB适用于以下领域和模块:
- **电源管理**: 在工业电源系统中,如高压DC-DC转换器和开关电源,能够提供可靠的电源开关和电路保护功能。
- **电动车充电器**: 用于电动汽车(EV)的充电器中,确保在高电压输入条件下的稳定充电过程。
- **照明系统**: 在LED驱动电路和照明系统中,作为开关器件,能够管理LED模块的电流和功率输出。
- **工业控制**: 在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业机器人,用于电源管理和控制单元,确保设备的稳定运行和效率。
这些应用示例展示了AP630P-VB因其高耐压能力、适中的电流处理能力和稳定性,适合于各种需要处理较高电压和中等电流的工业和电子应用场合。
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