--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP6679GP-A-HF-VB 是一款单路 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的功率管理特性,适用于需要高效能和可靠性的各种电子设备和系统。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型:** TO220
- **配置:** 单-P-沟道
- **耐压(VDS):** -40V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -2V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 4.5V时:14.4mΩ
- 10V时:12mΩ
- **漏极电流(ID):** 最大值为 -65A
- **技术特点:** Trench 结构
### 3. 应用领域和模块示例
- **电源管理:** AP6679GP-A-HF-VB 可用作电源开关和 DC-DC 转换器的关键部件,通过其低导通电阻和高电流承载能力,提高能源转换效率和系统稳定性。
- **汽车电子:** 在汽车电子系统中,特别是在电动车辆和混合动力车辆中,该 MOSFET 可用于驱动电机控制、电池管理系统和功率逆变器,支持高效能的能量转换和车辆动力输出。
- **工业应用:** 在工业自动化设备和机械系统中,AP6679GP-A-HF-VB 可作为电机驱动器件,用于高功率应用和复杂工作环境下的稳定运行。
- **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器和电网逆变器中,提供高效的功率转换和可靠的电能输出,支持可再生能源系统中的能量转换和分配。
这些示例突显了 AP6679GP-A-HF-VB 在多个领域的广泛应用性,通过其优异的电气特性和可靠性,为现代电子设备和能源系统提供了重要的功率解决方案。
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