--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AP6679GS-HF-VB 是一款单通道P沟道MOSFET,采用TO263封装。它设计用于中功率应用场合,采用先进的沟槽技术,提供高效的能源转换和稳定的性能。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO263
- **配置**:单通道P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:-30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:-75A
- **技术**:沟槽技术
### 应用领域和模块示例
AP6679GS-HF-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源管理**:适用于中功率电源管理模块,如开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高漏极电流能力,能够有效提升能源转换效率和系统的稳定性。
2. **汽车电子**:在汽车电子系统中的功率管理和驱动控制,如电动车辆的电池管理系统和电动驱动控制器中,AP6679GS-HF-VB 可以用于功率开关和电流控制,确保系统的高效率和动态响应。
3. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,如电机驱动、UPS系统(不间断电源)和工业逆变器中,AP6679GS-HF-VB 可以用作高功率开关和电源控制部件,提供可靠的电力管理和系统稳定性。
4. **航空航天**:在需要轻量化和高功率密度的航空航天电子系统中,AP6679GS-HF-VB 可以应用于电源管理和控制系统,确保航空航天设备的可靠性和性能。
通过这些应用示例,可以看出AP6679GS-HF-VB 在中功率应用中的优异性能和多功能性,适用于多种高要求的电子设备和系统,为各种应用提供可靠的功率管理解决方案。
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