--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP6679H-VB 产品简介
AP6679H-VB是一款高性能、低导通电阻的单P通道MOSFET,采用TO252封装。它采用先进的Trench技术制造,适用于负电压供电系统和其他需要高效能和高功率密度的应用。
### 详细的参数说明
- **型号**: AP6679H-VB
- **封装形式**: TO252
- **配置**: 单P通道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -60A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
AP6679H-VB适用于以下多种领域和模块,包括但不限于:
1. **负电压电源**
- **负电源管理**: 在需要负电压供电的系统中,如电动车辆的负电池管理系统和工业设备的负电压电源模块中,作为功率开关元件,提供高效率和稳定的电能转换。
2. **电池保护**
- **电池充放电保护**: 在需要对负电池进行充放电保护的应用中,如便携式电子设备和电动车辆的电池管理系统中,确保安全和长寿命的电池使用。
3. **电源开关**
- **功率开关**: 在各种负电压供电系统中,用作主要的功率开关元件,支持高电流和高功率的电能管理和控制。
4. **工业自动化**
- **工业控制系统**: 在需要对负电压设备进行精确控制和驱动的工业自动化系统中,如机器人控制和自动化生产线中的执行器控制。
AP6679H-VB因其负电压特性、低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要负电源管理和高效率电能控制的应用场景,提供可靠的功率开关解决方案。
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