--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8
- 沟道 Common Drain-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AP6800GEO-VB 是一款双通道共栅N+N沟道MOSFET,采用TSSOP8封装。它适用于低电压、低功率应用场合,结合了先进的沟槽技术,提供高效的能源转换和稳定的性能。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TSSOP8
- **配置**:共栅N+N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:20V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**:6.6A
- **技术**:沟槽技术
### 应用领域和模块示例
AP6800GEO-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **移动设备**:适用于智能手机、平板电脑等移动设备中的电源管理单元和充电管理电路。由于其低阈值电压和低导通电阻,在保证设备电池寿命和功率效率的同时,提供稳定的电源管理。
2. **消费电子**:在消费电子产品中的低功率应用,如便携式音频设备、数码相机和便携式游戏机等,AP6800GEO-VB 可以用作功率开关和电源管理部件,确保设备的高效能运行和长时间使用。
3. **医疗设备**:在便携式医疗设备和医疗监测系统中,如便携式血压计、血糖仪和便携式医疗图像设备中,AP6800GEO-VB 的低功耗特性和高效的电源管理能力,能够满足设备对小型化和长时间运行的需求。
4. **工业传感器**:在低功率传感器网络中的节点设备,如工业自动化传感器、环境监测传感器等,AP6800GEO-VB 可以用于功率管理和控制电路,提供稳定的电力供应和高效的能源转换。
通过这些应用示例,可以看出AP6800GEO-VB 在低电压、低功率应用中的优异性能和多功能性,为各种电子设备和系统提供可靠的功率管理解决方案。
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