--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Half-Bridge-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP6900M-VB 产品简介
AP6900M-VB是一款高性能、低导通电阻的半桥N+N通道MOSFET,采用SOP8封装。它采用先进的Trench技术制造,适用于要求高效能和高功率密度的半桥电源开关和其他应用。
### 详细的参数说明
- **型号**: AP6900M-VB
- **封装形式**: SOP8
- **配置**: 半桥N+N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 8A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
AP6900M-VB适用于以下多种领域和模块,包括但不限于:
1. **电源管理**
- **半桥电源转换器**: 在各种类型的DC-DC和AC-DC半桥电源转换器中,用作功率开关元件,提供高效率和低损耗的电能转换。
- **电动车辆充电器**: 在电动车和混合动力车辆的充电器中,作为半桥电源开关,支持快速充电和高效能源管理。
2. **电机驱动**
- **电机控制**: 在需要高功率和高效能的电机驱动系统中,如电动工具、家用电器和工业机器人中,提供可靠的功率开关控制。
3. **工业自动化**
- **工业控制系统**: 在工业自动化设备中,用于控制和驱动各种执行器和电动机,实现精确和高效的运动控制。
4. **电池管理**
- **电池保护和管理**: 在便携式设备和电动车辆的电池管理系统中,作为保护和管理电池充放电过程的关键组件,确保安全和长寿命的电池使用。
AP6900M-VB因其半桥配置、低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要半桥电源管理和高效率功率开关的应用场景,为电子系统提供稳定和可靠的功率解决方案。
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