--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介详细:
AP70T03GI-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高功率和低导通电阻的功率开关应用。该器件具有适中的 VDS(30V)和极低的 RDS(ON),采用先进的 Trench 技术,适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。
### 2. 详细的参数说明:
- **封装类型**: TO220F
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 2mΩ
- @ VGS = 10V: 1mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 68A
- **技术特点**: Trench 结构,提供优异的开关特性和热稳定性
### 3. 应用示例:
- **电动工具**: 在需要高功率输出和快速开关的电动工具中,AP70T03GI-VB 可以作为电机驱动器的主要功率开关,确保设备的高性能和长时间的稳定运行。
- **电源转换器**: 在高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块中,该器件可以提供低损耗和高效能的功率转换,适用于工业和消费电子设备的电源管理。
- **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统和电机控制中,AP70T03GI-VB 可以用作电机驱动的主要功率开关,支持车辆高效率和长时间驱动。
这些示例展示了 AP70T03GI-VB 在不同领域和模块中的广泛应用,体现了其在高功率功率开关和电源管理中的重要性和实用性。
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