--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**AP9960H-VB** 是一款先进的单N沟道MOSFET,封装为TO-252。该器件采用了先进的Trench技术,具备出色的导通电阻性能和高电流处理能力,非常适用于各种电源管理和转换应用。
### 详细参数说明
- **型号**:AP9960H-VB
- **封装**:TO-252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:55A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块举例
**电源管理系统**:
AP9960H-VB 可用于直流-直流转换器、AC-DC电源、负载开关和电池管理系统中。其低导通电阻和高电流处理能力使其在这些应用中具有高效率和可靠性。
**汽车电子**:
在汽车电子系统中,AP9960H-VB 可用于电动助力转向系统、发动机控制单元和车身控制模块等。这些应用需要高电流处理能力和耐久性,该MOSFET的特性使其成为理想选择。
**工业设备**:
AP9960H-VB 适用于工业电机驱动、机器人控制和工业电源管理等领域。其高电流能力和低导通电阻能够有效提高设备的效率和性能。
**消费电子**:
在消费电子领域,该MOSFET 可用于高效的电池充电器、便携式电源和LED驱动器等设备中。其紧凑的封装和出色的电气性能,使其在这些紧凑型设备中具有优势。
通过这些例子,可以看出AP9960H-VB是一款功能强大且适用范围广泛的MOSFET,为多种应用提供了高效可靠的解决方案。
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