--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
AP9962AGH-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造。它适用于要求高性能和低导通电阻的应用场合。
### 2. 详细参数说明:
- **包装类型(Package):** TO252
- **工作电压(VDS):** 40V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **门槽电压阈值(Vth):** 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 55A
### 3. 应用举例:
- **电源管理:** 由于其低导通电阻和高电流容量,AP9962AGH-VB 特别适用于开关电源和电源管理模块,能够有效降低开关损耗,提高效率。
- **电动工具和电机驱动:** 在电动工具和直流电机驱动系统中,这款 MOSFET 可以提供稳定的电流驱动,适合于需要高功率和快速开关的应用。
- **车载电子:** 在汽车电子系统中,AP9962AGH-VB 可以用于电池管理、马达驱动和其他功率控制模块,确保系统的稳定性和可靠性。
这些领域和模块展示了该产品在高功率、高效率和高可靠性要求的应用场景中的广泛应用。
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