### 1. 产品简介
AP9964GM-VB 是一款双 N+N 沟道场效应管（Dual-N+N-Channel MOSFET），采用沟道技术。具有30V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的门极-源极电压（VGS）（±V），低阈值电压（Vth）为1.7V，适合需要高效能和可靠性的电子系统应用。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型（Package）**: SOP8
- **配置（Configuration）**: 双 N+N-Channel
- **最大漏极-源极电压（VDS）**: 30V
- **门极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 8.5A
- **技术特点**: Trench（沟道技术）
### 3. 应用示例
AP9964GM-VB 可广泛应用于以下领域和模块：
- **电源管理**：适用于开关电源、DC-DC 变换器和电池充电管理电路中的功率开关，提供高效的能量转换和电流调节。
- **汽车电子**：用于车载电源管理系统、电动汽车驱动控制和车载电子设备中的功率开关。
- **工业自动化**：在工业控制系统中，可用于电机驱动、逆变器和电动工具的功率管理。
- **消费电子**：例如在高性能电源适配器和便携式电子设备中，提供高效能的电源管理和电流控制。
这些示例展示了 AP9964GM-VB 在需要高功率密度、高效率和可靠性的各种电子应用中的适用性和优势。
