### 1. 产品简介：
AP9964M-VB 是一款双通道 N+N 沟道 MOSFET，采用 Trench 技术制造。它具有优异的导通特性和适用于多种应用场合的特点。
### 2. 详细参数说明：
- **包装类型（Package）：** SOP8
- **工作电压（VDS）：** 30V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **门槽电压阈值（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 8.5A
### 3. 应用举例：
- **电源管理和转换器：** AP9964M-VB 可以用于低压 DC-DC 转换器和电源管理模块，特别是在需要高效能和小尺寸的应用中表现突出。
- **电动工具和电机驱动：** 在电动工具、电动玩具和小型电机驱动系统中，该器件能够提供可靠的功率开关和电流控制。
- **电池管理和充电保护：** 由于其低导通电阻和高电流容量，适合用于电池保护电路和充电管理系统，确保电池充放电过程的安全性和效率。
AP9964M-VB 在上述领域和模块中展示了其在需要高效能、高可靠性和稳定性的电子设备中的广泛应用潜力。
