--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
APM4010NUC-TRL-VB是一款单N沟道场效应管(N-Channel MOSFET),采用沟道技术(Trench),具有高性能和高功率处理能力。其封装为TO252,适合于需要高电流和低导通电阻的应用设计。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: APM4010NUC-TRL-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**: 40V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **门槽电压阈值(Vth)**: 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 85A
- **技术**: Trench
### 3. 应用举例
APM4010NUC-TRL-VB适用于以下领域和模块:
- **电源管理**: 用作高功率DC-DC转换器和开关电源的主要开关。
- **电池管理**: 在高电流锂电池充放电保护电路中,提供稳定的功率控制。
- **电动工具**: 作为电动工具中电机驱动和电源控制的关键部件。
- **电动车辆**: 用于电动车辆的电池管理系统和电机控制单元,支持高功率输出和高效能操作。
这些领域和模块对于高电流承载能力、低导通电阻和可靠性要求较高,APM4010NUC-TRL-VB因其优异的性能特点,特别适合在这些应用中提供稳定的功率传输和长期可靠性。
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