--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### APM4018NUC-TRL-VB 产品简介
APM4018NUC-TRL-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的槽沟技术,具有优异的导通特性和高电流承载能力。其 TO252 封装适合中等功率密度的电路设计,提供了可靠的性能和热管理能力。
### 详细参数说明
- **型号**: APM4018NUC-TRL-VB
- **封装**: TO252
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: 槽沟技术 (Trench)
### 应用示例
APM4018NUC-TRL-VB 适用于多种领域和模块,以下是一些具体应用示例:
- **电源转换器**: 在电源转换器和开关电源模块中,用于提供高效的电能转换和低导通损耗,保证设备的稳定工作和节能效果。
- **电动工具和电动车**: 用于电动工具、电动车辆的驱动电路,能够提供高电流驱动能力和优异的热管理,延长电池续航时间并提高系统效率。
- **工业自动化**: 在工业自动化控制系统中,作为电机驱动和开关控制器,确保设备的可靠运行和高效能的工作状态。
- **电池管理系统**: 在锂电池管理系统中,用于电池充放电控制和保护,确保电池安全并最大化电池使用寿命。
这些示例展示了 APM4018NUC-TRL-VB 在不同应用领域中的广泛适用性,其高性能和可靠性使其成为许多现代电子设备和系统的理想选择。
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