--- 产品参数 ---
- 封装 TO252-4L
- 沟道 Common Drain-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
APM4052DU4C-TRL-VB 是一款 TO252-4L 封装的 MOSFET,具有双沟道结构,包括 N 沟道和 P 沟道,适合于应用于需要高电流和高电压的场合。
### 详细参数说明
- **Package:** TO252-4L
- **Configuration:** Common Drain-N+P-Channel
- **VDS:** ±40V
- **VGS:** ±20V
- **Vth:** 1.8V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)
- **RDS(ON):**
- 14mΩ @ VGS = 4.5V (N-Channel)
- 16mΩ @ VGS = 10V (P-Channel)
- **ID:** ±50A
- **Technology:** Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理和转换器模块:** APM4052DU4C-TRL-VB 的高电流承受能力和低导通电阻使其非常适合在高效率的开关电源和 DC-DC 变换器中使用。其优秀的导通特性有助于减少功耗损失,提升整体能效。
2. **电机驱动:** 由于其能够处理高电流和高电压,这款 MOSFET 适合用作电机控制的开关元件。它能够有效地控制电机的启停和速度调节,同时保持较低的功耗。
3. **汽车电子:** 在汽车电子系统中,特别是需要处理汽车电池的高电压和高电流时,APM4052DU4C-TRL-VB 可作为保护和控制电路的关键部件。其可靠性和性能使其适合于汽车电动化和先进驾驶辅助系统(ADAS)。
4. **工业控制:** 该型号适用于需要稳定可靠的工业控制系统,例如机器人控制、PLC(可编程逻辑控制器)输出驱动等,确保设备的高效运行和长期稳定性。
APM4052DU4C-TRL-VB 的设计特点使其成为多种高性能电子系统中的理想选择,能够在不同的工作环境和负载条件下提供稳定的性能和优异的功耗管理。
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