--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**AUF540Z-VB** 是一款高效能的 N-沟道 MOSFET,封装形式为 TO220。这款 MOSFET 采用 Trench 技术,专为处理高电压和高电流设计。它具有较高的漏源电压和低导通电阻,适合用于高功率电源管理和开关系统。AUF540Z-VB 通过其卓越的电流承载能力和高电压耐受能力,提供了稳定可靠的性能。
### 详细参数说明
- **型号**: AUF540Z-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 17mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 70A
- **技术**: Trench
### 应用领域及模块示例
**AUF540Z-VB** 的特性使其在以下领域和模块中表现出色:
1. **高效能电源管理**:
- 由于其高电压耐受能力和低导通电阻,AUF540Z-VB 适用于高效能电源管理系统,如高功率 DC-DC 转换器和电源模块。它能够处理高电压和大电流,减少功耗,提高电源系统的整体效率和稳定性。
2. **电动汽车**:
- 在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中,AUF540Z-VB 能够处理高电压和高电流需求。其低导通电阻特性有助于提高系统的能效和可靠性,适合用于电动汽车的电源和驱动系统中。
3. **功率开关应用**:
- 适用于需要高电压和高电流开关的应用,如功率开关电源和大功率负载控制系统。AUF540Z-VB 的高电压和电流承载能力确保在高功率条件下的稳定运行,是高效能功率开关解决方案中的理想选择。
4. **工业自动化**:
- 在工业自动化和控制系统中,AUF540Z-VB 可用于高电压和高电流负载开关和电源供应模块。其高电压耐受能力和低导通电阻有助于提高工业设备的可靠性和工作效率,确保系统的高效稳定运行。
凭借其卓越的电压耐受能力和低导通电阻,**AUF540Z-VB** 是高效能电源管理和功率开关应用中的关键组件。
为你推荐
-
AUFS3306-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 11:01
产品型号:AUFS3306-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3207Z-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:52
产品型号:AUFS3207Z-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3107-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:49
产品型号:AUFS3107-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3006-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:43
产品型号:AUFS3006-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3004-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:38
产品型号:AUFS3004-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFR9024N-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:37
产品型号:AUFR9024N-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
AUFR8405-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:35
产品型号:AUFR8405-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR8403-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:31
产品型号:AUFR8403-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR8401-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:29
产品型号:AUFR8401-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR6215-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:28
产品型号:AUFR6215-VB 封装:TO252 沟道:Single-P