--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、AUF9952Q-VB 产品简介
AUF9952Q-VB 是一款高性能双N+P沟道MOSFET,采用SOP8封装,基于Trench技术制造。该MOSFET 设计用于高电压和高电流应用,能够处理高达±30V的漏源电压 (VDS) 和±8A的连续漏电流 (ID)。其阈值电压为1.6V(N沟道)和-1.7V(P沟道),在VGS = 4.5V时的导通电阻分别为24mΩ和50mΩ,在VGS = 10V时的导通电阻分别为18mΩ和40mΩ。AUF9952Q-VB 提供了优异的开关性能,适合用于多种电源管理和开关控制应用。
### 二、AUF9952Q-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N沟道:1.6V
- P沟道:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V:
- N沟道:24mΩ
- P沟道:50mΩ
- @ VGS = 10V:
- N沟道:18mΩ
- P沟道:40mΩ
- **连续漏电流 (ID)**:±8A
- **技术**:Trench
### 三、应用领域及模块举例
AUF9952Q-VB 的双N+P沟道配置和高电流处理能力使其在多个领域中具有重要应用价值:
1. **电源管理**:
- **双向电源开关**:AUF9952Q-VB 的双N+P沟道配置使其适用于双向电源开关应用,能够处理正负电源电压,适合用于电源切换和功率管理模块中。
- **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,AUF9952Q-VB 提供了高效的开关控制,有助于提高转换效率,减少功率损耗。
2. **工业控制**:
- **高电流负载开关**:AUF9952Q-VB 的高电流能力使其适用于工业控制系统中的高电流负载开关,提供可靠的开关控制,确保系统的稳定运行。
- **电机驱动**:在电机驱动系统中,AUF9952Q-VB 可以用作高电流开关,支持电机的平稳启动和运行。
3. **消费电子**:
- **电池管理系统**:AUF9952Q-VB 的双N+P沟道设计使其适用于电池管理系统中的开关控制,能够处理双向电流,确保电池的安全和效率。
- **电源适配器**:在高功率电源适配器中,AUF9952Q-VB 提供了有效的电源开关控制,支持高电流输出和稳定性能。
4. **汽车电子**:
- **车载电源系统**:AUF9952Q-VB 适用于车载电源系统,能够处理高电流和双向电流,提供稳定的电源开关控制,确保车载电子系统的可靠性。
- **电动汽车充电系统**:在电动汽车充电系统中,AUF9952Q-VB 可以用作高电流开关,支持充电系统的高效运行。
AUF9952Q-VB 的双N+P沟道配置、高电流处理能力和低导通电阻使其在电源管理、工业控制、消费电子以及汽车电子等多个领域中表现优异。
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