--- 产品参数 ---
- 封装 SOT223
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
v### 产品简介
**AUFL014N-VB**是一款高效的单N沟道MOSFET,采用SOT223封装。该MOSFET基于先进的沟槽技术(Trench Technology),设计用于提供优异的导通性能和可靠性。其高开关速度和低导通电阻使其成为各种电子应用中的理想选择,尤其是在需要高效开关控制的场景中表现卓越。
### 详细参数说明
- **封装类型**:SOT223
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V:85mΩ
- @VGS=10V:76mΩ
- **漏极电流 (ID)**:4.5A
- **技术**:沟槽技术
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**:
- **AUFL014N-VB**的低导通电阻和高电流处理能力使其在电源管理应用中表现出色。它适用于DC-DC转换器、电源适配器和电池管理系统。这些应用需要MOSFET能够高效地进行开关操作,从而减少功耗和提高系统效率。
2. **开关电源**:
- 在开关电源模块中,**AUFL014N-VB**的优越开关性能和低导通电阻有助于提高整体转换效率。它可以用作开关元件,控制电源的电流流动,从而改善开关电源的性能和稳定性。
3. **负载开关**:
- **AUFL014N-VB**可以用于负载开关应用中,如在汽车电子、家电和工业设备中的负载开关控制。由于其低导通电阻和良好的电流处理能力,它能够有效地控制高电流负载,从而实现可靠的开关操作。
4. **信号开关和放大器**:
- 在信号开关和小信号放大器应用中,**AUFL014N-VB**的低导通电阻确保了信号的最小失真和高效传输。它可以用于各种电子设备的信号开关和放大器电路中,以实现高质量的信号处理和传输。
**AUFL014N-VB**凭借其高效开关性能、低导通电阻和可靠性,是电源管理、开关电源、负载开关和信号开关应用中的理想选择,为设计工程师提供了稳定且高效的解决方案。
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