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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AUIRF2804S-7P-VB一款Dual-N+N沟道TO263-7L的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AUIRF2804S-7P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263-7L
  • 沟道 Dual-N+N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

**AUIRF2804S-7P-VB** 是一款高性能双N沟道MOSFET,封装为TO263-7L。它具有超低的导通电阻和极高的电流处理能力,特别设计用于高功率应用。该MOSFET采用先进的沟槽技术,确保了卓越的热稳定性和开关性能,能够在苛刻的工作环境中稳定运行。AUIRF2804S-7P-VB的双N沟道配置使其在多种高电流应用中表现出色,非常适合用于电源管理和电动机控制等领域。

### 二、详细参数说明

- **型号**:AUIRF2804S-7P-VB
- **封装**:TO263-7L
- **配置**:双N+N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 0.9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:350A
- **技术**:沟槽技术

### 三、应用领域和模块示例

**1. 高功率电源管理**
AUIRF2804S-7P-VB在高功率电源管理系统中表现尤为出色,特别是在需要大电流处理的DC-DC转换器和电源开关应用中。其超低的导通电阻能够显著提高系统效率,减少功率损耗,并在高电流环境中稳定运行,适合于对电源性能有严格要求的设计。

**2. 电动机控制**
在电动机控制系统中,如工业电动机驱动器和电动车电动机控制器,AUIRF2804S-7P-VB能够高效地处理高电流负载。其双N沟道配置和低导通电阻确保电动机在高负载情况下平稳运行,提高系统的可靠性和性能,适合于高电流应用场景。

**3. 高频开关**
AUIRF2804S-7P-VB适用于高频开关应用,包括高功率开关电源和负载开关。其卓越的开关性能和极低的导通电阻使其能够在高频环境中稳定运行,提升系统的整体性能和效率。

**4. 逆变器**
在太阳能逆变器和其他高功率逆变器中,AUIRF2804S-7P-VB的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想选择。它能够高效地将直流电转换为交流电,提升逆变器的效率和性能,特别适用于需要高功率处理的应用场合。

这些应用示例展示了AUIRF2804S-7P-VB在高功率和高效率场合中的广泛适用性,其卓越的性能使其能够满足各种复杂的工程需求。

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