--- 产品参数 ---
- 类型 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss) 150V
- 连续漏极电流(Id) 99A
- 导通电阻(RDS(o 9mΩ@10V,20A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
总体说明
AGM15T13F 结合了先进的沟槽式 MOSFET 技术和低电阻封装,以实现极低的导通电阻 RDS(ON) 。
该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低导通电阻 RDS(ON),将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100% 经过雪崩测试
- 100% 经过动态雪崩电压应力(DVDS)测试
应用
- 内存 / 显卡核心电压(MB/VGA Vcore)
- 开关电源(SMPS)二次侧同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器
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