--- 产品参数 ---
- 技术 碳化硅上的氮化镓
- 应用行业 雷达、军事、无线基础设施
- 应用 航空电子设备、移动设备
- 连续波/脉冲 连续波,脉冲
- 频率 直流至 6 GHz
--- 产品详情 ---
MACOM 的 NPTB00004B 是一款 GaN 功率晶体管,工作频率范围为 DC 至 6 GHz。它提供 5 W (~37.1 dBm) 的饱和输出功率,具有 16 dB 的小信号增益和 63.7% 的漏极效率。该晶体管支持 CW、脉冲和线性操作。它采用工业标准 SOIC 塑料封装,尺寸为 4.9 x 3.9 x 1.47 mm,需要 28 V 直流电源。该晶体管适用于国防通信、陆地移动无线电、航空电子设备、无线基础设施、ISM 和 VHF /UHF/L/S 波段雷达应用。
产品规格
产品详情
零件号
NPTB00004B
制造商
马康
描述
从 DC 到 6 GHz 的 5 W GaN 功率晶体管
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上的氮化镓
应用行业
雷达、军事、无线基础设施
应用
航空电子设备、移动设备
连续波/脉冲
连续波,脉冲
频率
直流至 6 GHz
力量
37 dBm (Psat)
功率(W)
5 瓦(Psat)
小信号增益
16分贝
功率增益 (Gp)
12.8 至 14.8 分贝
电源电压
28 伏
当前的
50毫安
排水效率
45 至 57 %
漏电流
1.4A
漏极漏电流 (Id)
2毫安
栅极漏电流 (Ig)
1毫安
包装类型
表面贴装
包裹
SOIC 塑封
RoHS
是的
年级
商业、军事
MAPG-102730-400
MAMG-102733-085
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MAGe-100809-600
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MAGX-100914-500
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