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深圳市鑫琅图科技有限公司

射频微波器件代理销售

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MAGX-100027-015S0P 是一种 GaN-on-Silicon HEMT D 模式晶体管

型号: MAGX-100027-015S0P

--- 产品参数 ---

  • 技术 硅基氮化镓、氮化镓
  • 应用行业 雷达、蜂窝、射频能量、航空电子设备、测试与测量、航空航天与国
  • 连续波/脉冲 连续波,脉冲
  • 频率 直流至 2.7 GHz
  • 功率(W) 15.13 至 26.91 瓦

--- 产品详情 ---

MACOM 的 MAGX-100027-015S0P 是一种 GaN-on-Silicon HEMT D 模式晶体管,工作频率为 DC 至 2.7 GHz。它支持 CW 和脉冲操作,并提供高达 44.3 dBm 的输出功率和超过 20.7 dB 的增益。该放大器的漏极效率高达 78.3%,需要 50 V 电源电压。它采用表面贴装 DFN 封装,尺寸为 6 x 3 mm,适用于军事无线电通信、数字蜂窝基础设施、雷达、航空电子设备和测试仪器等应用。

产品规格

产品详情

零件号

MAGX-100027-015S0P

制造商

马康

描述

从 DC 到 2.7 GHz 的 15 W GaN on Si 晶体管

一般参数

晶体管类型

HEMT

技术

硅基氮化镓、氮化镓

应用行业

雷达、蜂窝、射频能量、航空电子设备、测试与测量、航空航天与国防

连续波/脉冲

连续波,脉冲

频率

直流至 2.7 GHz

力量

41.8 至 44.3 dBm

功率(W)

15.13 至 26.91 瓦

脉冲宽度

100 我们

占空比

10%

小信号增益

17.6分贝

功率增益 (Gp)

15.3 至 17.2 分贝

电源电压

50 伏

阈值电压

-2 V(门)

当前的

60毫安

排水效率

52 至 78.3 %

漏电流

1.93 安

漏极漏电流 (Id)

3.3毫安

栅极漏电流 (Ig)

3.3毫安

包装类型

表面贴装

包裹

东风

方面

6 x 3 毫米

RoHS

是的

工作温度

-40 至 85 摄氏度

贮存温度

-65 至 150 摄氏度

 

MA4SW610B-1

MASW-003102-13590

MASW-008177-000000

MA4SW210

MASW6010G

MA4SW110

MASWSS0202

MA4AGSW5

MAMF-011038

MASW-003103-1364

MA4SW210B-1

SW-231-PIN

MASWCC0010

MAMF-010614

MASW-007221-000000

MASWSS0200

MA4SW510B-1

MASW-002103-1363

MASW-008322

MASW-011030

MASW-007107-000000

MA8334-004

MASW-009482

MASW-004102-12760

MA4SW410

MASW-009276-001DIE

MASW-010647

MASW-000822-12770T

MASW-010612

MASW-008330

MASW-011036

MASWCC0006

MASWCC0009

MASWSS0204

MASW-011043

MASW-005102-13600

MASW-002102-13580

NPTB00004B

MAGX-100027-015S0P

MAGX-101214-500L00

MAMG-102933-030

MAMG-103135-085

MAGX-102731-180

MAMG-100227-010

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