--- 产品参数 ---
- 频率 3.5GHz
- 力量 42分贝
- 功率(W) 15.85 瓦
- 饱和功率 44 至 45 dBm
- 功率增益 (Gp) 15.5 至 16.5 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN35C030MK 是一款射频晶体管,频率 3.5 GHz、功率 42 dBm、功率 (W) 15.85 W、饱和功率 44 至 45 dBm、功率增益 (Gp) 15.5 至 16.5 dB。标签:法兰。EGN35C030MK 的更多细节可以在下面看到。
产品规格
产品详情
零件号
EGN35C030MK
制造商
住友电工设备创新
描述
3.5 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
应用
WiMax,基站
频率
3.5GHz
力量
42分贝
功率(W)
15.85 瓦
饱和功率
44 至 45 dBm
功率增益 (Gp)
15.5 至 16.5 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
9% 到 11%
功耗 (Pdiss)
37.5 瓦
热阻
5 到 6 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流:69 mA,反向栅极电流:-1.1 mA
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
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