Qorvo 的 QPD1000 是一种分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 30 MHz 至 1.215 GHz。它提供 15 W 的输出功率，增益为 19 dB，功率附加效率为 78.2%。该晶体管需要 28 V 的电源电压并消耗高达 50 mA 的电流。它采用 5 x 6 mm 无铅 SMT 封装，非常适合手持无线电、雷达、干扰器和其他应用。
产品规格
产品详情
零件号 QPD1000
制造商 科尔沃
描述 0.03 至 1.215 GHz 的 15 W GaN 射频晶体管
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 无线基础设施、雷达、测试与测量
应用 军事、移动无线电、通信、测试仪器、干扰器
连续波/脉冲 脉冲
频率 30 MHz 至 1.215 GHz
力量 41.76 分贝
功率(W) 15 瓦
饱和功率 43.8 分贝
脉冲宽度 557 我们
占空比 0.1
获得 19分贝
电源电压 12 至 32 伏
电压 - 栅源 (Vgs) -2.8 伏
漏极偏置电流 50毫安
静态漏极电流 50毫安
阻抗 Z 50 欧姆
包装类型 表面贴装
包裹 5 x 6 毫米
RoHS 是的
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