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多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter
多层膜的结构广泛用于各个领域. 在单一材料薄膜无法满足所需规格的精密系统中, 高质量多层膜的作用至关重要. 因此, 新材料的开发和薄膜的精确控制制程已成为当前多层薄膜研究的重要方向. 上海伯东代理多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter 拥有基板公自转机构, 搭配美国 KRI 离子源可实现精准的多层膜结构并可以一次批量生产, 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池, 科研等行业, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯东多层膜磁控溅镀设备配置和优点
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源（最多6个源）, 靶材尺寸多种可选
射频, 直流或脉冲直流, 分别用于非导电, 导电靶材
具有顺序操作或共沉积的多个溅镀源
精准流量控制器（最多4条气体管线）
基板可加热到 600°C
基材到靶材的间距可调节
每个溅镀源和基板均安装遮板
载台可公自转或定在靶材位置自转
磁控溅镀设备基本参数
| 系统类型 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 | 紧凑型高真空 |
| 极限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 全部 CF(烘烤) | 一些密封圈(烘烤) | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
| 电子枪 | 3-4, 2-3 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-3 英寸 |
| 电源 | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF |
| Load-lock | 标准(HV) | 标准(HV) | 标准(HV)/可选 | 标准(HV)/可选 |
| 基板 | 4-6 英寸 加热至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加热至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加热至 800°C | 4-6 英寸 加热至 800°C |
| 真空泵 | 低温泵 | 低温泵 / 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
| 监控 | 真空规和Baratron | 真空规和Baratron | 真空规和Baratron | 真空规和Baratron |
| 工艺控制 | 部分 / 3位 /手动闸阀 | 部分 / 3位 /手动闸阀 | 部分 / 3位 /手动闸阀 | 部分 / 3位 /手动闸阀 |
| 气体 | 氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选) | 氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选) | 氩气, 氮气, 氧气 | 氩气, 氮气, 氧气 |
| 射频偏压清洁 | 300W RF(清洁和蚀刻) | 300W RF(清洁和蚀刻) | 可选 | 可选 |
| 离子源 | 100 KRi 离子源 | 100 KRi 离子源 | 可选 | 可选 |
| 薄膜 | 钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等 | 钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等 |
腔体
客制化的腔体尺寸取决于基板尺寸和其应用
宽大的前开式门, 并有两个窗口和窗口遮版用于观察基材和溅镀源
具有显示功能的全量程真空计和用于压力控制的 Baratron 真空计
腔体的极限真空度约 10-8 Torr
选件
可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起
结合离子源, 热蒸发源, 电子束...
基板可用射频或直流偏压
膜厚监测仪
射频等离子清洁用于基材
OES, RGA 或制程监控的额外备用端口
应用领域
半导体类, 纳米科技
产品质量控制和质量检查
氧化物, 氮化物和金属材料的研究
太阳能电池
光学研究, 材料研究
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