MASW-002102-13580
带偏置的HMIC™ Si PIN 二极管
MASW-002102-13580 和 MASW-003102-13590 器件是带有集成偏置网络的 SP2T 和 SP3T 宽带开关，采用 MACOM 的 HMIC™（杂石微波集成电路）工艺，美国专利 5,268,310。该工艺允许通过将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，从而形成串联和并联二极管或通孔。通过在元件之间使用小间距，硅和玻璃的这种组合使 HMIC™ 设备具有低损耗和高隔离性能，并在低毫米频率下具有出色的可重复性。大焊盘便于使用低电感带状键合，而金背面金属化允许通过 80/20 - Au/Sn、62/36/2 - Sn/Pb/Ag 焊料或导电银环氧树脂进行手动或自动芯片键合。
带偏置的HMIC™ Si PIN 二极管
MASW-002102-13580 和 MASW-003102-13590 器件是带有集成偏置网络的 SP2T 和 SP3T 宽带开关，采用 MACOM 的 HMIC™（杂石微波集成电路）工艺，美国专利 5,268,310。该工艺允许通过将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，从而形成串联和并联二极管或通孔。通过在元件之间使用小间距，硅和玻璃的这种组合使 HMIC™ 设备具有低损耗和高隔离性能，并在低毫米频率下具有出色的可重复性。大焊盘便于使用低电感带状键合，而金背面金属化允许通过 80/20 - Au/Sn、62/36/2 - Sn/Pb/Ag 焊料或导电银环氧树脂进行手动或自动芯片键合。
特征
- 指定高达 18 GHz 的宽带宽
- +25°C 时高达 33 dBm 的 CW 功率处理
- 玻璃封装结构
- 完全单片
- 崎岖
- 低插入损耗/高隔离
- 综合偏置网络
- 最高可达 26 GHz
- 260°C 回流兼容
- 符合 RoHS*
MASWSS0191 MASW-008330 MASWSS0136
MASW-011036 MASWCC0006 MASWSS0144
MASWCC0009 MASWSS0204 MASW-011043
MASW-005102-13600 MASWSS0103 MASW-002102-13580
MASWSS0179 NPTB00004B MAGX-100027-015S0P
MAGX-101214-500L00 MAMG-102933-030 MAMG-103135-085
MAGX-102731-180 MAMG-100227-010 MAPG-102730-400
