--- 产品参数 ---
- 最小频率(MHz) 50
- 最大频率(MHz) 20000
- 隔离度(dB) 38
- 插入损耗 (dB) 0.800
- IIP3(dBm) 40
- CW入射功率(W) 2.0
- 包装类别 模具/凸块模具
--- 产品详情 ---
MASW-002103-1363
HMIC硅PIN二极管
MASW-002103-1363 是一种 SPDT、超越、宽带、单片开关,使用两组串联和并联连接的 PIN 二极管。该器件设计用于高达 20 GHz 的宽带、中低信号、高性能、开关应用。它是一种表面贴装开关,配置用于优化性能,与 MMIC、光束引线和芯片和导线混合设计相比具有明显优势。
HMIC硅PIN二极管
MASW-002103-1363 是一种 SPDT、超越、宽带、单片开关,使用两组串联和并联连接的 PIN 二极管。该器件设计用于高达 20 GHz 的宽带、中低信号、高性能、开关应用。它是一种表面贴装开关,配置用于优化性能,与 MMIC、光束引线和芯片和导线混合设计相比具有明显优势。由于 MASW-002103-1363 的 PIN 二极管集成到芯片中并保持在非常接近的位置,因此通常与使用单个组件的其他设计相关的寄生效应保持在最低限度。为了最大限度地减少寄生效应并实现高性能,MASW-002103-1363 采用 MACOM 的专利 HMIC™(异石微波集成电路)工艺制造。这个过程允许硅基座,形成串联和并联二极管或通孔,嵌入低损耗、低色散玻璃中。低损耗玻璃和在元件之间使用紧密间距的组合使 HMIC 设备通过低毫米波频率具有低损耗和高隔离度。顶面完全用氮化硅封装,还有一层额外的聚合物层,用于防刮擦和防冲击。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏接头和阳极气桥。在芯片的背面添加了金金属化焊盘,以生产可焊接的超越器件。低损耗玻璃和在元件之间使用紧密间距的组合使 HMIC 设备通过低毫米波频率具有低损耗和高隔离度。顶面完全用氮化硅封装,还有一层额外的聚合物层,用于防刮擦和防冲击。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏接头和阳极气桥。在芯片的背面添加了金金属化焊盘,以生产可焊接的超越器件。低损耗玻璃和在元件之间使用紧密间距的组合使 HMIC 设备通过低毫米波频率具有低损耗和高隔离度。顶面完全用氮化硅封装,还有一层额外的聚合物层,用于防刮擦和防冲击。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏接头和阳极气桥。在芯片的背面添加了金金属化焊盘,以生产可焊接的超越器件。
特征
- 工作频率为 50 MHz 至 20 GHz
- 聚合物划痕保护
- 氮化物钝化
- +25°C 时高达 +38 dBm 的 CW 功率处理能力
- 玻璃封装结构
- 符合 Surmount 封装,完全单片
- 低寄生电容和电感
- 高隔离
- 低插入损耗
- 最多可使用 26 个
- 可焊
MASWCC0010 MASWSS0166 MAMF-010614
MASW-007221-000000 MASWSS0200 MA4SW510B-1
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